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產(chǎn)品資料

TE8000抗干擾介質損耗測試儀

如果您對該產(chǎn)品感興趣的話,可以
產(chǎn)品名稱: TE8000抗干擾介質損耗測試儀
產(chǎn)品型號:
產(chǎn)品展商: 徐吉
產(chǎn)品文檔: 無相關文檔

簡單介紹

TE8000抗干擾介質損耗測試儀是我公司吸收國內(nèi)外同類儀器的優(yōu)點,精心設計研制而成的一款能全自動測試介質損耗(tgδ)和電容量(Cx)的智能化儀器。TE8000抗干擾介質損耗測試儀率先采用第四代抗干擾技術-全自動反干擾源法,能夠在500KV及以下變電站等干擾強烈的場合準確測量,完全滿足《DLT962-2005高壓介質損耗測試儀通用技術條件》的相關要求。本抗干擾介質損耗測試儀廣泛適用于變壓器、互感器、高壓套管、電力電纜、電容器等電氣設備及絕緣材料的介質損耗及電容量的測試,用以鑒別因污穢、破裂、穿孔、老化、受潮引起的絕緣缺陷。


TE8000抗干擾介質損耗測試儀  的詳細介紹

TE8000 抗干擾介質損耗測試儀

TE8000抗干擾介質損耗測試儀是我公司吸收國內(nèi)外同類儀器的優(yōu)點,精心設計研制而成的一款能全自動測試介質損耗(tgδ)和電容量(Cx)的智能化儀器。TE8000抗干擾介質損耗測試儀率先采用第四代抗干擾技術-全自動反干擾源法,能夠在500KV及以下變電站等干擾強烈的場合準確測量,完全滿足《DLT962-2005高壓介質損耗測試儀通用技術條件》的相關要求。本抗干擾介質損耗測試儀廣泛適用于變壓器、互感器、高壓套管、電力電纜、電容器等電氣設備及絕緣材料的介質損耗及電容量的測試,用以鑒別因污穢、破裂、穿孔、老化、受潮引起的絕緣缺陷。

產(chǎn)品特性

TE8000抗干擾介質損耗測試儀

(1) 反干擾源:儀器先測量干擾電流的幅值和相位,然后在內(nèi)部產(chǎn)生一個幅值相等、相位相反的反干擾信號來抵消干擾電流,從而有效消除現(xiàn)場干擾對測試數(shù)據(jù)的影響。實踐使用證明,該方法抗干擾效果優(yōu)于“倒相法”、“移相法”和“變頻法”。

(2) 整體屏蔽:采用雙層整體屏蔽機箱,能有效阻擋外界電磁干擾。采用高壓屏蔽軟電纜,可直接引至試品,測試**方便,并有效消除了對地雜散電容的影響。

(3) 使用方便:可自由選擇輸出高壓,啟動后全自動升壓測試。采用中文菜單操作,測量電容值、介損值等顯示結果直觀。內(nèi)置的前換紙打印機能以中文模式打印記錄數(shù)據(jù),換紙更加方便。

(4) 技術先進:全數(shù)字化,內(nèi)建精密數(shù)學模型。

(5) 精度高:具有較高的分辨率和精度,測試結果重復性好,配上標準油杯后,可測量絕緣油的介質損耗因素。

(6) 通訊接口:留有“通訊接口”,其中包括RS232計算機接口方便地與筆記本電腦連接,進行數(shù)據(jù)處理;和“JTAG在線編程接口”,可由筆記本電腦對儀器進行現(xiàn)場在線編程,可對儀器不拆機進行升級處理;使用時,必須配用專用接線座和專用軟件,本儀器不提供此配件。

(7) 數(shù)據(jù)記錄:儀器能記錄100組測試數(shù)據(jù),以測試日期、時間的形式存儲,日后可調(diào)用查看或打印,有利于歷史數(shù)據(jù)的縱向比較和歷史臺帳的建立。

(8) 攜帶方便:采用一體化結構,設計合理,體積只有同類產(chǎn)品的1/2~2/3,攜帶十分方便。

技術參數(shù)

使用電源  本儀器使用220(1±10%)V,50(1±2%)Hz電源

使用環(huán)境  環(huán)境溫度:-10℃~40℃   相對濕度:≤80%

外形尺寸  長400mm*寬330mm*高395mm

質量  20Kg

測試工作方式  正接法  反接法  抗干擾正接法  抗干擾反接法

輸出功率  內(nèi)部高壓*大容量:1.5KVA

 輸出*大電流:150mA

**性能  絕緣電阻:電源對地≥2MΩ,高壓輸出對地≥50MΩ

 交流耐壓:電源對地1500v耐壓1min,高壓輸出對地15KV耐壓1min,無飛弧和擊穿

抗干擾性能  | 干擾 /  | 試品 <2,磁場干擾<5高斯下滿足測試精度要求。

電容測量范圍  10KV: 0~40000pF    

 <5KV: 0~0.1μF

電容*小分辨率  0.001pF

電容精度  正接 ±(2%讀數(shù)+2pF)

 反接 ±(2%讀數(shù)+10pF)

電壓輸出  范圍:1KV、1.5KV、2KV、2.5KV、3KV、5KV、7.5KV、10KV

 失真度:<2%THD(10KV下線性負載)

 精度:±(1%讀數(shù)+10V)

介損測量范圍  0~50%

介損測量精度

測試內(nèi)容 電容量范圍(Cx) 試品類型 基本誤差

介質損耗因數(shù)tgδ 200pF~40000pF 非接地 ±(2%讀數(shù)+0.0005)

接地 ±(2%讀數(shù)+0.0010)

10pF~200pF或40000pF以上 非接地 ±(2%讀數(shù)+0.0010)

接地 ±(2%讀數(shù)+0.0020)

3pF~10pF 非接地與接地


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